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Basic Insight NAND Flash 메모리: 동작특성
출판사 : 홍릉과학출판사
저 자 : 진종문
ISBN : 9791156003762
발행일 : 2015-7
도서종류 : 국내도서
발행언어 : 한국어
페이지수 : 596
판매가격 : 39,000원
판매여부 : 재고확인요망
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   Basic Insight NAND Flash 메모리: 동작특성 목차
Chapter 01 에너지 양자화와 Fermi 확률함수

Chapter 02 Carrier의 생성과 Energy Level

Chapter 03 NAND Flash의 기본 소자, MOSFET 특성

Chapter 04 NAND Flash의 Architecture

Chapter 05 Threshold Voltage와 제품 다변화

Chapter 06 Program Electron Injection

Chapter 07 Erasure, NAND의 고유특성

Chapter 08 Read, Cell 상태의 구분 및 출력

Chapter 09 NAND의 신뢰성과 불량 Mechanism

Chapter 10 NAND Density 확장의 방향
   도서 상세설명   

“"NAND Flash 메모리 동작특성”à은 NAND Flash의 가장 기초가 되는 동작 및 동작으로서 나타나는 특성을 다루었기 때문에,

NAND Flash를 처음 접하려고 하는 대학교 3, 4학년, 혹은 NAND Flash 메모리를 응용한 시스템을 다루는 기술자들에게

조금이나마 도움이 되었으면 한다.

NAND Flash의 기초이자 핵심 3대동작인 Program, Erasure, Read로 들어가기 전에, NAND Flash와

연결된 반도체 물리 현상에서부터, NAND의 Architecture 및 NAND의 성공여부를 결정하는 문턱전압(Threshold Voltage)이

형성하는 분포에 대한 중점사항들을 개념적 흐름으로 전개하였다.

특히, Vth 이용한 SLC에서부터 MLC와 TLC로의 제품 분화는 NAND Flash의 핵심 중의 핵심인 혁신적인 발상으로서

숙독이 필요한 부분이며, 최대한 쉽게 서술하려고 심사숙고 하여, NAND의 기초부터 차례로 Story형식으로

NAND 이론이 발전되어 가는 모습을 담아, NAND란 제품의 속성을 전반적으로 이해할 수 있도록 영역을 넓게

그리고 기술적 깊이는 얇게 구성하였다.

휘발성 메모리의 Write 동작과는 다른 방식으로 정보를 저장하는 Non-volatile의 Program 동작도

오랜 기간 동안의 고안이 담겨있는 진화의 산물로서 이들을 발전시킨 선구자들에게 경의를 표한다.

Erasure와 Read 동작 또한 Program 동작에 버금가는 중요하고 획기적인 발상들이 도처에 숨어있어서

독자들이 NAND Flash의 수많은 발명자들의 발자취를 따라가며 희열을 느껴보길 바란다.

  교육용 보조자료   
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